涩涩电影一区二区三区在线观看|日韩亚洲国产综合αv高清|搡老熟女老女人一区二区|日本国产欧美在线观看,欧美亚州特黄一区二区三区四区,亚洲国产午夜精品一区二区,亚洲日本VA久久一区二区

·IGBT

（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型晶體管的簡稱。由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。